Transistör ilk olarak 1947 AT&T’s Bell Labaratuarında John Bardeen, Walter Brattain ve William Shockley tarafından geliÅŸtirilidi. Amaç yarı iletken yani istenildiÄŸinde akımı geçirecek istenildiÄŸinde ise yapı akım geçiÅŸini engelliyerek yapısal bir kapı görevi görecekti. Silisyum ve Germanyum yarıiletlenleri kullanılarak üç kutuplu bir yapı oluÅŸturuldu(iki yana Emitör ve Kollektör orta uca ise Beyz denildi). Yapı orta ucundan aldığı gerilimle diÄŸer iki karşılıklı uç arasındaki baÄŸlantıyı kuruyordu. Yapılan bu elektronik kompanend sayesinde günümüz yarı iletken teknolojinin temeli atılmıştır. Åžu anda intel firmasının yapdığı mikroiÅŸlemciler içerisinde yaklaşık olarak 5 milyar civarında transistör bulunmaktadır. Tristör düsük kumanda akimlari ile büyük gücleri kontrol etmeye yarayan bir elemandir.

Aşağıda ilk protipi görmektesiniz:

Transistör yapısal olarak Silisyum ve Germanyum dizilişine göre NPN ve PNP olarak ikiye ayrılmıştır, yapısal bu ayrım transistörlerin akım geçirme yönünü etkilemiştir.

Yapsıal olarak mükemmelleştirilmek istenen transistör araştırmalarıyla Fet ve Mosfet diye tabir edilen yeni yarı ileten anahtarlama elemanları yapılmıştır. Bunlar transistörün eksik olarak görülen yönlerini kapatmak için geliştirilmiştir.